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當前位置:首頁   >    產(chǎn)品中心   >    熱銷產(chǎn)品   >    光學顯微鏡   >   SEM2000鎢燈絲掃描電鏡 產(chǎn)品展示

鎢燈絲掃描電鏡

型 號SEM2000

所屬分類光學顯微鏡

報價

更新時間2024-11-19

產(chǎn)品描述:SEM2000是一款基礎款的多功能分析型鎢燈絲掃描電鏡。20?kV分辨率可以做到3.9?nm,支持升級30?kV電壓,可觀察亞微級尺度樣品的微觀結構信息。擁有比臺式電鏡更大的移動范圍,適用于快速篩選待測樣品,更多的擴展接口,可搭載BSED、EDS等附件,使應用領域更廣。

產(chǎn)品概述

品牌其他品牌產(chǎn)地類別國產(chǎn)
價格區(qū)間面議儀器種類熱場發(fā)射
應用領域化工,綜合

SEM2000是一款基礎款的多功能分析型鎢燈絲掃描電鏡。20?kV分辨率可以做到3.9?nm,支持升級30?kV電壓,可觀察亞微級尺度樣品的微觀結構信息。擁有比臺式電鏡更大的移動范圍,適用于快速篩選待測樣品,更多的擴展接口,可搭載BSED、EDS等附件,使應用領域更廣。

鎢燈絲掃描電鏡

分辨率3.9 nm @ 20 kV
加速電壓0.5~20 kV
(30 kV可選)
放大倍數(shù)1~300,000x
產(chǎn)品特點
簡潔的操作界面

*軟件界面僅供參考

純中文的操作界面

功能設計簡單易操作。符合國人使用習慣,即使是新手用戶,簡單了解后也能快速上手。

完善的自動化功能

自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散,均可一鍵調(diào)節(jié),提高工作效率。

豐富的測量工具

長度、面積、圓度、角度等測量功能強大的照片管理和預覽、編輯功能。

特色功能

光學導航

想看哪里點哪里,導航更輕松

標配光學導航攝像頭,可拍攝高清樣品臺照片,快速定位樣品。

防撞設計

對新手更友好的防碰撞設計,最大限度保護敏感單元。

一鍵成像

*軟件一鍵成像,新手也能輕松駕馭。

分析距離

最佳分析距離和成像距離二合一,輕松體驗優(yōu)質(zhì)性能。

多種信息同時成像

SEM2000軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時觀察到樣品的形貌信息和成分信息。

分辨率指標

SE:3.9 nm @20 kV

BSE:4.5 nm @ 20 kV

豐富的擴展性

高靈敏度背散射探測器

· 多通道成像

探測器設計精巧,靈敏度高,采用4分割設計,無需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。

 
  

四個單通道的陰影像

成分像

 

· 二次電子成像和背散射電子成像對比

背散射電子成像模式下,荷電效應明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。

 
  

鐵礦石-(SE)

鐵礦石-(BSE)

 

能譜

金屬夾雜物能譜面掃分析結果。

電子背散射衍射

鎢燈絲電鏡束流大,高分辨EBSD的測試需求,能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。 該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖,能夠識別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對材料組織結構進行精確判斷。

 
應用案例

新米胚乳淀粉顆粒顯微結構

加速電壓:10 kV / 放大倍率:×5000

加速電壓:1 kV / 放大倍率:×2000

纖維截面

加速電壓:7 kV / 放大倍率:×1000

高分子透鏡陣列

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×200

載催化劑鎳網(wǎng)

加速電壓:20 kV / 放大倍率:×200

仲鎢酸銨

加速電壓:5 kV / 放大倍率:×1000

MnS夾雜

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×500

金屬斷口

加速電壓:20 kV / 放大倍率:×200

負極碳包硅

加速電壓:10 kV / 放大倍率:×3000

干法拉伸薄膜

加速電壓:3 kV / 放大倍率:×5000

磷酸鐵鋰

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×5000

鈷酸鋰

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×5000

PCB板

加速電壓:10 kV / 放大倍率:×100

PCB板(車燈)

加速電壓:10 kV / 放大倍率:×100

銅箔生箔

加速電壓:10 kV / 放大倍率:×10000

芯片

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×500

紅翅鶴頂粉蝶

加速電壓:3 kV / 放大倍率:×5000

密蒙花中藥顆粒

加速電壓:3 kV / 放大倍率:×2000

槲寄生中藥原粉

加速電壓:3 kV / 放大倍率:×2000

片球菌屬

加速電壓:15 kV / 放大倍率:×30000

產(chǎn)品參數(shù)
電子光學系統(tǒng)電子槍類型預對中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍
分辨率3.9 nm @ 20 kV(SE)
4.5 nm @ 20 kV(BSE)
放大倍率1 x~300,000 x
加速電壓0.5 kV~20 kV
成像系統(tǒng)探測器二次電子探測器(ETD)
*背散射電子探測器、*能譜儀EDS等
圖像保存格式TIFF、JPG、BMP、PNG
真空系統(tǒng)高真空優(yōu)于5×10-4 Pa
控制方式全自動控制
機械泵×1,分子泵×1
樣品室攝像頭光學導航
樣品臺配置兩軸自動
行程X: 100 mm
Y: 100 mm
軟件語言中文
操作系統(tǒng)Windows
導航光學導航、手勢快捷導航
自動功能自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散
特色功能智能輔助消像散、大圖拼接(選配軟件)
安裝要求房間長 ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm
溫度20 ℃~25 ℃
濕度≤ 50 %
電氣參數(shù)電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA
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